Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

286,85 kr

(exkl. moms)

358,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
50 - 905,737 kr
100 - 4905,394 kr
500 - 9905,07 kr
1000 +4,453 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3901P
Tillv. art.nr:
SiA106DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SC-70-6L

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0185Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.9nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Length

2.2mm

Width

1.35 mm

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

relaterade länkar