Infineon BSC12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

36 575,00 kr

(exkl. moms)

45 720,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +7,315 kr36 575,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
170-2290
Tillv. art.nr:
BSC12DN20NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

BSC12DN20NS3 G

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.35 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.35mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS products are performance leading Benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Highest efficiency

Highest power density

Lowest board space consumption

Minimal device paralleling required

System cost improvement

relaterade länkar