Nexperia Type N-Channel MOSFET, 270 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 250 enheter)*

128,00 kr

(exkl. moms)

160,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
250 - 2500,512 kr128,00 kr
500 - 10000,487 kr121,75 kr
1250 - 22500,307 kr76,75 kr
2500 +0,292 kr73,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-2761
Tillv. art.nr:
NX7002BKR
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

270mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.67W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Width

1.4 mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages, Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range, part of our massive MOSFET device portfolio. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).

60 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

relaterade länkar