Sök efter MPN

Toshiba DTMOSIV-H N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 4-Pin TO-247 TK31Z60X,S1F(S

RS-artikelnummer:: 125-0567P
Tillv. art.nr:: TK31Z60X,S1F(S
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV-H N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 4-Pin TO-247 TK31Z60X,S1F(S

Mängdrabatt möjlig

Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*

274,00 kr

(exkl. moms)

342,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig

Enheter	Per enhet
10 - 18	27,40 kr
20 - 48	25,18 kr
50 - 98	24,815 kr
100 +	24,505 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 125-0567P
Tillv. art.nr:: TK31Z60X,S1F(S
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Toshiba
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	30.8 A
	Maximum Drain Source Voltage	600 V
	Series	DTMOSIV-H
	Package Type	TO-247
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance	88 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation	230 W
	Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Length	15.94mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	65 nC
	Width	5.02mm
	Number of Elements per Chip	1
	Height	20.95mm

	Välj alla
	Brand Toshiba
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 30.8 A
	Maximum Drain Source Voltage 600 V
	Series DTMOSIV-H
	Package Type TO-247
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance 88 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation 230 W
	Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Length 15.94mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 65 nC
	Width 5.02mm
	Number of Elements per Chip 1
	Height 20.95mm

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba