ROHM RUR020N02 Type N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT RUR020N02TL
- RS-artikelnummer:
- 124-6841
- Tillv. art.nr:
- RUR020N02TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
63,725 kr
(exkl. moms)
79,65 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 2,549 kr | 63,73 kr |
| 125 - 225 | 2,182 kr | 54,55 kr |
| 250 - 600 | 1,886 kr | 47,15 kr |
| 625 - 1225 | 1,604 kr | 40,10 kr |
| 1250 + | 1,496 kr | 37,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-6841
- Tillv. art.nr:
- RUR020N02TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TSMT | |
| Series | RUR020N02 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 240mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.8 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TSMT | ||
Series RUR020N02 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3mm | ||
Height 0.95mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.8 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
relaterade länkar
- ROHM RQ7L055BG Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement TSMT-8
- ROHM RQ7L055BG Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement TSMT-8 RQ7L055BGTCR
- ROHM RQ5 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TSMT-3 RQ5L045BGTCL
- ROHM RQ5 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TSMT-3 RQ5P035BGTCL
- ROHM RUR040N02 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT RUR040N02TL
- ROHM QH8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin TSMT-8 QH8KE5TCR
- ROHM RQ5 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TSMT-3 RQ5G060BGTCL
- ROHM RQ5E035BN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TSMT RQ5E035BNTCL
