ROHM RRR040P03 Type P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TSMT RQ5E040RPTL
- RS-artikelnummer:
- 124-6810
- Tillv. art.nr:
- RQ5E040RPTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
69,00 kr
(exkl. moms)
86,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 3,45 kr | 69,00 kr |
| 100 - 180 | 3,164 kr | 63,28 kr |
| 200 - 480 | 3,08 kr | 61,60 kr |
| 500 - 980 | 2,996 kr | 59,92 kr |
| 1000 + | 2,929 kr | 58,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-6810
- Tillv. art.nr:
- RQ5E040RPTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | RRR040P03 | |
| Package Type | TSMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 72mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.85mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.6 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series RRR040P03 | ||
Package Type TSMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 72mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.85mm | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.6 mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
relaterade länkar
- ROHM RQ1 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 RQ1E070RPHZGTR
- ROHM RQ1 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 RQ1E050RPHZGTR
- ROHM RQ6E050AT Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT-6 RQ6E050ATTCR
- ROHM QH8MA3 Type N 7 A 8-Pin TSMT
- ROHM RQ5H020SP Type P-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 3-Pin TSMT RQ5H020SPTL
- ROHM RTR020P02 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT RQ5C020TPTL
- ROHM QH8MA3 Type N 7 A 8-Pin TSMT QH8MA3TCR
- ROHM RQ1 Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 RQ1A070ZPHZGTR
