DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 710 mA, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZVN2106GTA
- RS-artikelnummer:
- 274-992
- Tillv. art.nr:
- ZVN2106GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
46,03 kr
(exkl. moms)
57,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 9 385 enhet(er) från den 02 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 9,206 kr | 46,03 kr |
| 25 - 45 | 5,42 kr | 27,10 kr |
| 50 - 245 | 4,748 kr | 23,74 kr |
| 250 - 495 | 4,032 kr | 20,16 kr |
| 500 + | 3,404 kr | 17,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 274-992
- Tillv. art.nr:
- ZVN2106GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 710mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.7 mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 710mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.7 mm | ||
Length 6.7mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
relaterade länkar
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZVP2106GTA
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 450 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223