Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 210 A, 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R9-100SSEJ

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

77,92 kr

(exkl. moms)

97,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 977,92 kr
10 - 9970,21 kr
100 +64,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-452
Tillv. art.nr:
PSMN2R9-100SSEJ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

210A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

341W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Nexperia N-Channel MOSFET features very low RDS(on) and enhanced safe operating area performance in a high-reliability copper-clip LFPAK88 package. It is optimized for hot-swap controllers, capable of withstanding high inrush currents and minimizing I²R losses for improved efficiency. Applications include hot-swap, load switching, soft start, and e-fuse.

SOA for superior linear mode operation

LFPAK88 package for applications that demand the highest performance

relaterade länkar