DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 1.7 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXM61N02FTA
- RS-artikelnummer:
- 154-958
- Tillv. art.nr:
- ZXM61N02FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
95,525 kr
(exkl. moms)
119,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 125 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 45 000 enhet(er) från den 26 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 3,821 kr | 95,53 kr |
| 150 - 725 | 2,195 kr | 54,88 kr |
| 750 - 1475 | 2,038 kr | 50,95 kr |
| 1500 + | 1,985 kr | 49,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 154-958
- Tillv. art.nr:
- ZXM61N02FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 806mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.05mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 806mW | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.05mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
relaterade länkar
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS355 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS355 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS355AN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN335N
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
