Nexperia Type P-Channel MOSFET, 3.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV65XP,215
- RS-artikelnummer:
- 134-295
- Tillv. art.nr:
- PMV65XP,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
262,95 kr
(exkl. moms)
328,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 27 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 550 | 5,259 kr | 262,95 kr |
| 600 - 1450 | 4,733 kr | 236,65 kr |
| 1500 + | 4,207 kr | 210,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 134-295
- Tillv. art.nr:
- PMV65XP,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 76mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.92W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 76mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.92W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
relaterade länkar
- Nexperia Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia PMV32UP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement215
- Nexperia NX3008PBK Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement215
- Nexperia BSS84AK Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement215
- Nexperia NX2301P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement215
- Nexperia PMV160UP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement215
- Nexperia PMV48XP Type P-Channel P-Channel Trench MOSFET 20 V Enhancement215
- Nexperia NX2301P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
