ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 9 Ben, DFN
- RS-artikelnummer:
- 223-6203P
- Tillv. art.nr:
- HS8MA2TCR1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 8%
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
513,65 kr
(exkl. moms)
642,05 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 50 - 75 | 10,273 kr | - |
| 100 - 225 | 9,435 kr | 8% |
| 250 - 475 | 9,247 kr | 9% |
| 500 + | 9,05 kr | 11% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-6203P
- Tillv. art.nr:
- HS8MA2TCR1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.08Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 4W | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 800μm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.08Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 4W | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 800μm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.3mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM småsignal-MOSFET har TSMT8-kapseltyp. Den används huvudsakligen för omkoppling.
Låg påslagningsresistans
Litet paket för ytmontering
Blyfri plätering, RoHS-kompatibel