STMicroelectronics STGWT30H60DFB IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Se alla IGBTs

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

51,07 kr

(exkl. moms)

63,838 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • Dessutom levereras 14 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +25,535 kr51,07 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
860-7325
Tillv. art.nr:
STGWT30H60DFB
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

260 W

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 14.1mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar