STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

100,13 kr

(exkl. moms)

125,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 30 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 330 enhet(er) från den 31 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,013 kr100,13 kr
50 - 909,498 kr94,98 kr
100 - 2409,206 kr92,06 kr
250 - 4908,96 kr89,60 kr
500 +8,736 kr87,36 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
795-7142
Tillv. art.nr:
STGF10NC60KD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

9 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

25 W

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 16.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar