onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

RS-artikelnummer:: 862-4954
Tillv. art.nr:: MJ11012G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

Mängdrabatt möjlig

Price Var (i ett paket med 2)**

86,945 kr

(exkl. moms)

108,681 kr

(inkl. moms)

2 I lager för avsändande samma dag*

2 Inom 1 arbetsdag(ar) (UK lager)

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per förpackning**
2 - 18	86,945 kr	173,89 kr
20 +	74,915 kr	149,83 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 862-4954
Tillv. art.nr:: MJ11012G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	30 A
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	TO-204AA
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	2
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	2
Minimum DC Current Gain	200
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	5 V
Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Maximum Power Dissipation	200 W
Dimensions	21.08 (Dia.) x 8.51mm
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Height	8.51mm

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards