onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

RS-artikelnummer:: 790-5319
Tillv. art.nr:: MJD112G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

Price Var (i ett paket med 15)**

6,233 kr

(exkl. moms)

7,791 kr

(inkl. moms)

90 I lager för avsändande samma dag*

120 Inom 1 arbetsdag(ar) (UK lager)

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per förpackning**
15 +	6,233 kr	93,495 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 790-5319
Tillv. art.nr:: MJD112G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Length	6.73mm
Height	2.38mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	6.22mm
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards