onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

RS-artikelnummer:: 163-0033
Tillv. art.nr:: MJ11012G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

Price Var (i en bricka med 100)**

62,006 kr

(exkl. moms)

77,508 kr

(inkl. moms)

Det är tyvärr inte möjligt att visa lagerbehållning för närvarande. Uppdatera sidan och försök igen.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Nästa dag-leverans inte möjlig

Enheter	Per enhet	Per Tray**
100 +	62,006 kr	6 200,60 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 163-0033
Tillv. art.nr:: MJ11012G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	30 A
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	TO-204AA
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	2
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	2
Minimum DC Current Gain	200
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	5 V
Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Dimensions	21.08 (Dia.) x 8.51mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Maximum Power Dissipation	200 W
Height	8.51mm

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards