onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

RS-artikelnummer:: 121-6413
Tillv. art.nr:: MJD112G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

Mängdrabatt möjlig

Price Var (i ett rör med 75)**

3,357 kr

(exkl. moms)

4,196 kr

(inkl. moms)

150 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per Tube**
75 - 75	3,357 kr	251,775 kr
150 - 450	2,488 kr	186,60 kr
525 - 975	1,95 kr	146,25 kr
1050 - 2475	1,90 kr	142,50 kr
2550 +	1,853 kr	138,975 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 121-6413
Tillv. art.nr:: MJD112G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Height	2.38mm
Width	6.22mm
Length	6.73mm
Maximum Power Dissipation	20 W
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Minimum Operating Temperature	-65 °C

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards