onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

RS-artikelnummer:: 463-016
Tillv. art.nr:: MJD112T4G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

Mängdrabatt möjlig

Price Var (i ett paket med 20)**

6,238 kr

(exkl. moms)

7,798 kr

(inkl. moms)

80 I lager för avsändande samma dag*

20 Inom 1 arbetsdag(ar) (UK lager)

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per förpackning**
20 - 180	6,238 kr	124,76 kr
200 - 480	5,379 kr	107,58 kr
500 - 980	4,664 kr	93,28 kr
1000 +	4,098 kr	81,96 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 463-016
Tillv. art.nr:: MJD112T4G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

MJD112 (NPN), MJD117 (PNP), Complementary Darlington Power Transistors
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	4 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	200
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	0.02mA
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Width	6.22mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	6.73mm
Height	2.38mm

onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards