N-Channel MOSFET Transistor, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK100A10N1,S4X(S
- RS-artikelnummer:
- 891-2866
- Tillv. art.nr:
- TK100A10N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Det är tyvärr inte möjligt att visa lagerbehållning för närvarande. Uppdatera sidan och försök igen.
Nästa dag-leverans inte möjlig
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 2)
30,165 kr
(exkl. moms)
37,706 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Pack* |
| 2 - 8 | 30,165 kr | 60,33 kr |
| 10 - 18 | 26,67 kr | 53,34 kr |
| 20 - 48 | 23,29 kr | 46,58 kr |
| 50 - 98 | 21,735 kr | 43,47 kr |
| 100 + | 20,515 kr | 41,03 kr |
- RS-artikelnummer:
- 891-2866
- Tillv. art.nr:
- TK100A10N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Lagstiftning och ursprungsland
- COO (Country of Origin):
- CN
Produktdetaljer
MOSFET Transistors, Toshiba
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 207 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Series | TK |
| Package Type | TO-220SIS |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.8 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Width | 4.5mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Length | 10mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Height | 15mm |
- RS-artikelnummer:
- 891-2866
- Tillv. art.nr:
- TK100A10N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba