P-Channel MOSFET, 9 A, 100 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M
- RS-artikelnummer:
- 144-5185
- Tillv. art.nr:
- TJ9A10M3,S4Q(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
I lager för avsändande samma dag
Nästa dag-leverans inte möjlig
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 10)
5,589 kr
(exkl. moms)
6,986 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Pack* |
| 10 - 40 | 5,589 kr | 55,89 kr |
| 50 + | 5,334 kr | 53,34 kr |
- RS-artikelnummer:
- 144-5185
- Tillv. art.nr:
- TJ9A10M3,S4Q(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Lagstiftning och ursprungsland
- COO (Country of Origin):
- JP
Produktdetaljer
MOSFET P-Channel, TJ9A Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | TO-220SIS |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 4.5mm |
| Transistor Material | Si |
| Length | 10mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47 @ -10 V nC |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Height | 15mm |
- RS-artikelnummer:
- 144-5185
- Tillv. art.nr:
- TJ9A10M3,S4Q(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba