N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK8P60W5,RVQ(S
- RS-artikelnummer:
- 133-2804
- Tillv. art.nr:
- TK8P60W5,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
10 I lager för avsändande samma dag
Inom 5 arbetsdag(ar) (UK lager)
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 10)
4,72 kr
(exkl. moms)
5,90 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Pack* |
| 10 + | 4,72 kr | 47,20 kr |
- RS-artikelnummer:
- 133-2804
- Tillv. art.nr:
- TK8P60W5,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Lagstiftning och ursprungsland
- COO (Country of Origin):
- JP
Produktdetaljer
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Series | DTMOSIV |
| Package Type | DPAK (TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 560 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Transistor Material | Si |
| Length | 6.6mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 6.1mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Height | 2.3mm |
- RS-artikelnummer:
- 133-2804
- Tillv. art.nr:
- TK8P60W5,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba