N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 4+Tab-Pin LFPAK Renesas RJK0852DPB-WS#J5
- RS-artikelnummer:
- 124-3703P
- Tillv. art.nr:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
I lager för avsändande samma dag
Nästa dag-leverans inte möjlig
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Varje (levereras i ett rör)
9,776 kr
(exkl. moms)
12,22 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit |
| 10 - 20 | 9,776 kr |
| 25 - 120 | 8,894 kr |
| 125 - 245 | 8,148 kr |
| 250 + | 7,522 kr |
- RS-artikelnummer:
- 124-3703P
- Tillv. art.nr:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Lagstiftning och ursprungsland
- COO (Country of Origin):
- JP
Produktdetaljer
N-Channel Low Voltage MOSFETs up to 140V, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Package Type | LFPAK |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 4+Tab |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation | 55 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Width | 3.95mm |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Length | 5.3mm |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Height | 1.03mm |
- RS-artikelnummer:
- 124-3703P
- Tillv. art.nr:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics