N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19536KCS
- RS-artikelnummer:
- 827-4919
- Tillv. art.nr:
- CSD19536KCS
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2024-05-22
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 2)
53,175 kr
(exkl. moms)
66,469 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Pack* |
| 2 - 24 | 53,175 kr | 106,35 kr |
| 26 + | 43,085 kr | 86,17 kr |
- RS-artikelnummer:
- 827-4919
- Tillv. art.nr:
- CSD19536KCS
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 259 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Series | NexFET |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Width | 4.7mm |
| Length | 10.67mm |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 16.51mm |
- RS-artikelnummer:
- 827-4919
- Tillv. art.nr:
- CSD19536KCS
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments