- RS-artikelnummer:
- 812-3132
- Tillv. art.nr:
- SI2366DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
500 I lager för avsändande samma dag
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 20)
1,534 kr
(exkl. moms)
1,918 kr
(inkl. moms)
Enheter | Per unit | Per Pack* |
20 + | 1,534 kr | 30,68 kr |
- RS-artikelnummer:
- 812-3132
- Tillv. art.nr:
- SI2366DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Lagstiftning och ursprungsland
- COO (Country of Origin):
- CN
Produktdetaljer
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specifikationer
Attribute | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 5.8 A |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Package Type | SOT-23 |
Mounting Type | Surface Mount |
Pin Count | 3 |
Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
Channel Mode | Enhancement |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
Transistor Configuration | Single |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Length | 3.04mm |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
Width | 1.4mm |
Transistor Material | Si |
Number of Elements per Chip | 1 |
Height | 1.02mm |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
- RS-artikelnummer:
- 812-3132
- Tillv. art.nr:
- SI2366DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay