SiC N-Channel SiC Power Module, 304 A, 1200 V, 36-Pin F2 onsemi NXH006P120MNF2PTG
- RS-artikelnummer:
- 229-6509
- Tillv. art.nr:
- NXH006P120MNF2PTG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2024-09-20
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett rör med 60)
2 907,741 kr
(exkl. moms)
3 634,676 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Tube* |
| 60 + | 2 907,741 kr | 174 464,46 kr |
- RS-artikelnummer:
- 229-6509
- Tillv. art.nr:
- NXH006P120MNF2PTG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations and industrial power.
Options with pre−applied thermal interface material
Options with solderable pins and press−fit pins
Pb−free
RoHS compliant
Options with solderable pins and press−fit pins
Pb−free
RoHS compliant
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 304 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Package Type | F2 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 36 |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.006 Ω |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Transistor Material | SiC |
- RS-artikelnummer:
- 229-6509
- Tillv. art.nr:
- NXH006P120MNF2PTG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi