Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 137.5 A 80 V, 8 Ben, SO-8, N-Channel 80 V
- RS-artikelnummer:
- 225-9931
- Tillv. art.nr:
- SIR5802DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
28 203,00 kr
(exkl. moms)
35 253,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 9,401 kr | 28 203,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-9931
- Tillv. art.nr:
- SIR5802DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 137.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.12 mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.26mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 137.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.12 mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.26mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested