SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
- RS-artikelnummer:
- 202-5488
- Tillv. art.nr:
- SCTW35N65G2VAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Det är tyvärr inte möjligt att visa lagerbehållning för närvarande. Uppdatera sidan och försök igen.
Nästa dag-leverans inte möjlig
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Varje
136,85 kr
(exkl. moms)
171,06 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit |
| 1 - 4 | 136,85 kr |
| 5 - 9 | 133,41 kr |
| 10 + | 130,09 kr |
- RS-artikelnummer:
- 202-5488
- Tillv. art.nr:
- SCTW35N65G2VAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Low capacitance
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Series | SCT |
| Package Type | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.055 Ω |
| Channel Mode | Depletion |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Material | SiC |
- RS-artikelnummer:
- 202-5488
- Tillv. art.nr:
- SCTW35N65G2VAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics