P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 6-Pin DSBGA Texas Instruments CSD25304W1015T
- RS-artikelnummer:
- 162-9740
- Tillv. art.nr:
- CSD25304W1015T
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans när den finns i lager
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i en rulle med 250)
2,739 kr
(exkl. moms)
3,424 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Reel* |
| 250 + | 2,739 kr | 684,75 kr |
- RS-artikelnummer:
- 162-9740
- Tillv. art.nr:
- CSD25304W1015T
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
- COO (Country of Origin):
- PH
Produktdetaljer
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Series | NexFET |
| Package Type | DSBGA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Maximum Drain Source Resistance | 92 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.15V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.55V |
| Maximum Power Dissipation | 750 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Length | 1mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 1.5mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.3 nC @ 4.5 V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Forward Diode Voltage | 1V |
- RS-artikelnummer:
- 162-9740
- Tillv. art.nr:
- CSD25304W1015T
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments