N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3 + Tab-Pin TO-3P Renesas 2SK1339-E
- RS-artikelnummer:
- 124-3649
- Tillv. art.nr:
- 2SK1339-E
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
I lager för avsändande samma dag
Nästa dag-leverans inte möjlig
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 2)
33,345 kr
(exkl. moms)
41,681 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Pack* |
| 2 - 2 | 33,345 kr | 66,69 kr |
| 4 - 8 | 30,09 kr | 60,18 kr |
| 10 - 48 | 27,245 kr | 54,49 kr |
| 50 - 98 | 25,025 kr | 50,05 kr |
| 100 + | 23,16 kr | 46,32 kr |
- RS-artikelnummer:
- 124-3649
- Tillv. art.nr:
- 2SK1339-E
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Lagstiftning och ursprungsland
- COO (Country of Origin):
- JP
Produktdetaljer
N-Channel High Voltage MOSFETs 150V and Over, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Package Type | TO-3P |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 + Tab |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 Ω |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 4.8mm |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 15.6mm |
| Forward Diode Voltage | 0.9V |
| Height | 19.9mm |
- RS-artikelnummer:
- 124-3649
- Tillv. art.nr:
- 2SK1339-E
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics