P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3
- RS-artikelnummer:
- 787-9222
- Tillv. art.nr:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
240 I lager för avsändande samma dag
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 10)
5,39 kr
(exkl. moms)
6,74 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit | Per Pack* |
| 10 - 90 | 5,39 kr | 53,90 kr |
| 100 - 490 | 5,068 kr | 50,68 kr |
| 500 - 990 | 4,569 kr | 45,69 kr |
| 1000 - 2490 | 4,314 kr | 43,14 kr |
| 2500 + | 4,048 kr | 40,48 kr |
- RS-artikelnummer:
- 787-9222
- Tillv. art.nr:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 Ω |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 3.04mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 1.02mm |
- RS-artikelnummer:
- 787-9222
- Tillv. art.nr:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay